张立春
博士、教授
泰山学者青年专家
suncitygroup太阳集团首批人才引领工程入选者(鲁大英才)
山东省优秀研究生指导教师
集成电路工程专业学位硕士研究生导师
物理学学术学位硕士研究生导师
电话:0535-6245667(O)
Email:phyzlc 163.com
教育经历
·2000.09-2004.07 曲阜师范大学,电子信息工程专业,获工学学士学位
·2004.09-2007.07 曲阜师范大学,物理电子学专业,获理学硕士学位
·2010.09-2013.06 曲阜师范大学,光学专业,获理学博士学位
工作经历
·2007.07-2010.08 中国人民解放军海军航空大学理化实验中心工程师
·2013.07-2016.06 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室博士后
·2013.06-2023.03 suncitygroup太阳集团物理与光电工程学院教师
·2021.09-2023.03 suncitygroup太阳新城官网教师(借调)
·2023.03-今 suncitygroup太阳集团科学技术处副处长
研究领域
·宽禁带半导体材料与器件
·新型发光材料与器件
·真空物理与薄膜生长
·光电探测材料及芯片制备工艺
研究课题
·国家自然科学基金面上项目(12274189),55万元,2023.1-2026.12,在研,负责人
·国家自然科学基金面上项目(62075092),61万元,2021.1-2024.12,在研,负责人
·国家自然科学基金青年项目(11504155),23万元,2016.1-2018.12,已结题,负责人
·山东省自然科学基金(ZR2015PA011),5万元,2015.07-2016.12,已结题,负责人
·山东省高等学校科技计划项目,5.6万元,2015.01-2017.12,已结题,负责人
·烟台市校地融合项目,75万元,2020.01-2022.12,已结题,负责人
·中国博士后科学基金面上资助项目,5万元,2013.07-2015.05,已结题,负责人
·国家自然科学基金重大研究计划项目(91321313),2014.01-2016.12,已结题,参加
·国家自然科学基金重点项目(61435012),2015.01-2017.12,已结题,参加
·国家自然科学基金面上项目(11275113),2013.01-2016.12,已结题,参加
·国家自然科学基金专项基金(11144010),2012.01-2014.12,已结题,参加
主讲课程
·研究生课程:《固体薄膜及光学性质》、《新能源材料与器件》等
·本科生课程:《光电检测技术》、《太阳能发电技术》、《计算机网络与数据通信》、《新能源材料与器件概论》、《通信导论》等
学生培养
·研究生,主要招收半导体物理、光学方向研究生,已指导硕士研究生15人。
2021年获山东省优秀研究生指导教师称号,指导研究生获山东省优秀硕士学位论文2篇、山东省研究生优秀科研成果奖2项。
·本科生,主要指导学生从事半导体器件、新能源材料与器件的方面的创新创业活动及开展相关科普活动。
2016年以来指导本科生获省级以上科技竞赛奖励30余项。2018年指导本科生获山东省优秀学士学位论文1篇。
奖励情况和荣誉称号
·2023.06 山东省委组织部泰山学者青年专家;
·2023.04 suncitygroup太阳集团首批人才引领工程(鲁大英才);
·2022.09 suncitygroup太阳集团2022年最美教师;
·2021.12 山东省优秀研究生指导教师;
·2021.07 suncitygroup太阳集团优秀党务工作者;
·2020.12 山东物理学会优秀青年学术奖;
·2019.12 suncitygroup太阳集团2019年度先进工作者;
·2019.07 suncitygroup太阳集团优秀共产党员;
·2017.12 suncitygroup太阳集团2017年度先进工作者;
·2017.06 全国高等学校大学物理实验课程青年教师讲课比赛山东省一等奖;
·2016.12 suncitygroup太阳集团2016年度先进工作者;
·2009.07 中国人民解放军海军航空工程学院优秀共产党员;
·2007.03 共青团山东省委、山东省学联向社会公开举荐的千名优秀毕业生;
·2006.12 山东省优秀毕业生
代表性成果
共发表学术论文100余篇,其中以第一/通讯作者作者身份在Advanced Optical Materials、Journal of Materials Chemistry C、Optics Letters、Optics Express、中国科学、发光学报等期刊发表论文40余篇;授权国家发明专利7项;获得山东省高等学校优秀科研成果奖及山东省研究生优秀科技创新成果奖共6项。代表性科研成果(第一作者/通讯作者)包括:
[1]Enhanced Responsivity of CsCu2I3 Based UV Detector with CuI Buffer-Layer Grown by Vacuum Thermal Evaporation.Advanced Optical Materials,2100889(2021).
[2]Tunable Morphology and Highly Stable a-CsPbI3 Nano-bricks for Photoelectric Devices.Journal of Colloid and Interface Science,616,730(2022).
[3]High-performance self-powered UV photodetector based on CuI/CsCu2I3/GaN heterojunction.Chemical Engineering Journal,450,1,136364(2022).
[4]Tunable electroluminescence from n-ZnO/p-GaN heterojunction with CsPbBr3 interlayer grown by Pulse Laser Deposition.Journal of Materials Chemistry C,8,12240(2020).
[5]One-pot aqueous synthesis of icosahedral Au as bifunctional candidates for enhanced glucose electrooxidation and surface-enhanced Raman scattering,ACS Applied Materials&Interfaces,12,12186−12194(2020).
[6]Deep ultraviolet photodetector based on pulsed laser deposited Cs3Cu2I5 films/n-Si heterojunction.Optics Letters,46(17),4252-4255(2021).Editor's Pick
[7]Enhanced p-CuI/n-ZnO photodetector based on thermal evaporated CuI and pulsed laser deposited ZnO nanowires.Optics Letters,45(2),559-562(2020).
[8]Self-powered p-CuI/n-GaN heterojunction UV photodetector based on thermal evaporated high quality CuI thin film.Optics Express,30,16,29749-29759(2022).
[9]Growth and optoelectronic application of CsPbBr3 thin films deposited by pulsed-laser deposition,Optics Letters,44(8),1908-1911(2019).
[10]Improvement of UV electroluminescence of n-ZnO/p-GaN heterojunction LED by ZnS interlayer.Optics Express,21(14),16578-16583(2013).
[11]铝纳米颗粒增强氧化镓日盲光电探测器性能研究.中国科学:物理学力学天文学,52,297305(2022).
[12]Pulsed laser deposition of lead-free Cs3Cu2Br5 thin films on GaN substrate for ultraviolet photodetector applications.Journal of Alloys and Compounds,937,168538(2023).
[13]Self-powered CsCu2I3/Si heterojunction UV photodetectors prepared by pulsed-laser deposition.Journal of Alloys and Compounds,905,164245(2022).
[14]Improved Photoresponse Performance of Self-Poweredβ-Ga2O3/NiO Heterojunction UV Photodetector by Surface Plasmonic Effect of Pt Nanoparticles.IEEE Transactions on Electron Devices,67(8),3199(2020).
[15]Self-powered photodetectors based on b-Ga2O3/4H-SiC.heterojunction with ultrahigh current on/off ratio and fast response.Journal of Alloys and Compounds,821,153532(2020).
[16]Enhanced photoresponse of n-ZnO/p-GaN heterojunction ultraviolet photodetector with high-quality CsPbBr3 films grown by pulse laser deposition.Journal of Alloys and Compounds,802,70-75(2019).
[17]Influence of annealing temperature on structure and photoelectrical performance ofβ-Ga2O3/4H-SiC heterojunction photodetectors.Journal of Alloys and Compounds,798,458-466(2019).
[18]张立春,王国伟,徐应强,倪海桥,牛智川.一种高电阻温度系数氧化钒薄膜的制备方法,发明专利,2015.05.13,公开号CN104611670A,已授权。
[19]2014.09山东省高等学校优秀科研成果奖三等奖(1/5)
[20]2013.09山东省研究生优秀科技创新成果奖三等奖(1/5)
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